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應用領域：極大規(guī)模集成電路制造專用設備，工藝時間短，生產(chǎn)效率高，具有出色的工藝性能，達到國際先進水平。產(chǎn)品優(yōu)勢：1、晶片直徑8英寸2、產(chǎn)能（片/批次）150片3、晶片高速搬送系統(tǒng)，實現(xiàn)高吞吐量4、精密

應用于半導體器件、分立器件、光電子器件、電力電子器件、太陽能電池及大規(guī)模集成電路制造等領域?qū)M行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝，可用于2-6英寸工藝尺寸。

LPCVD產(chǎn)品應用：用于4-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅（或LTO）、SIPOS薄膜生長工藝及其摻雜（如PSG或BPSG等）

　　采用閉管擴散的方式。碳化硅漿把石英舟放入石英管后再退出石英管，保證整個工藝過程完全不受外界環(huán)境干擾。系統(tǒng)整機清潔降低了石英制品清洗的頻次。控制終端采用專業(yè)工控機配備進口溫控儀表、質(zhì)量流量計及完善的

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

該設備主要用于納米材料如石墨烯薄膜生長、碳納米管陣列生長等，以及晶片表面生長多晶硅、氮化硅、擴散、氧化、退火等工藝

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

青島賽瑞達電子裝備股份有限公司該設備主要用在Si片表面生長氮化硅薄膜。特點：40KHZ中頻等離子體，加熱，真空。

用于200-600度的低溫熱處理，可以配置N2，H2，O2。特點：低溫爐體，溫控相響應快，可以實現(xiàn)快速降溫，快速升溫。

　該設備用于在真空條件下，在銅箔上生產(chǎn)石墨烯薄膜。特點：一次可以完成長度數(shù)百米米,寬度20-30cm的薄膜的生產(chǎn)。

用于200-600度的低溫熱處理，可以配置N2，H2，O2。特點：低溫爐體，溫控相響應快，可以實現(xiàn)快速降溫，快速升溫。

采用箱式結構，加熱箱體可移動，下部配有料車，可實現(xiàn)2工位率工作。加熱體采用硅鉬棒，可加熱到1500℃，用于藍寶石退火工藝。

青島賽瑞達電子裝備股份有限公司用于半導體工藝中氧化、擴散爐系列的加熱爐體。可定制3段溫區(qū)、5段溫區(qū)。

LEC單晶爐是采用液體封裝CZ法（Liquid EncapsulatedCzochralski）拉晶，屬于硬軸提拉式單晶爐。該設備操作方便，采用獨特的扒渣和加料機構，減少開門次數(shù)，以提升棒料純度及生產(chǎn)

爐體溫控控制在900到1300℃，溫度高精度可控，VB具有晶體和加熱爐體分別單獨升降；HB水平高精度移動等控制，運動速度0.01--50mm/小時可調(diào)，有效完成砷化鎵晶體生長。

爐體溫控控制在900到1300℃，溫度高精度可控，VB具有晶體和加熱爐體分別單獨升降；HB水平高精度移動等控制，運動速度0.01--50mm/小時可調(diào)，有效完成砷化鎵晶體生長。

爐體溫控控制在900到1300℃，運動速度0.01--50mm/小時可調(diào)，使晶棒內(nèi)部晶體重新排列。特點：爐體冷區(qū)和熱區(qū)之間采用獨特設計，可以達到15℃/cm的溫度梯度。

 LPE液相外延爐采用進口穩(wěn)定可靠的智能儀表，能夠?qū)崿F(xiàn)整個工藝過程的自動控溫。以進口直線電機為主體，系統(tǒng)定位且無抖動，加速度大能快速啟動，可快速精準的將生長材料移動至下一個生長點。 

 LPE液相外延爐采用進口穩(wěn)定可靠的智能儀表，能夠?qū)崿F(xiàn)整個工藝過程的自動控溫。以進口直線電機為主體，系統(tǒng)定位且無抖動，加速度大能快速啟動，可快速精準的將生長材料移動至下一個生長點。 

青島賽瑞達電子裝備股份有限公司是集高新技術裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的專業(yè)廠家，產(chǎn)品覆蓋半導體、光伏、LED、新能源、新材料等領域，公司于2005年注冊成立，屬于國家高新技術企業(yè)。  主要

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